项目2
《超高密度小间距LED芯片关键技术开发及应用》
开发LED微缩化关键技术量产芯片受青睐
产品具备发光均匀性佳、清晰度高等特点，在显示领域作用大
“超高密度小间距LED芯片关键技术开发及应用”项目完成人之一、三安光电研发高工何安和日前接受采访时表示，当前显示技术逐渐向高分辨率、轻薄化、可弯曲化、高动态HDR、高对比度及广色域的趋势发展，“超高密度小间距LED芯片”——Micro/Mini LED应运而生。
我们耳熟能详的小间距LED，通常采用100微米-1000微米的LED芯粒，显示屏像素颗粒约1.0毫米-2.0毫米。从本质上看，Micro LED与Mini LED一样，都是基于微小的LED芯粒作为像素发光点，Mini LED采用数十微米级的LED芯粒，显示屏像素颗粒为0.5毫米-1.2毫米；Micro LED则采用1微米-10微米的LED芯粒，能使显示屏实现0.05毫米或更小尺寸像素颗粒。
去年，三安与韩国三星电子签订战略合作协议，成为其全球唯一的Mini LED指定供应商，双方还将持续讨论Micro LED战略合作。在行业分析师看来，三星选择三安光电的芯片，主要看中三安芯片产品质量稳定、可率先实现量产等因素。
拿Micro LED电视来说，采用超小LED组成像素，它的亮度很高，对比范围更大，颜色还原能力更强，而且不需要背光和滤色镜，但它需要大量的LED芯粒。
之所以显示效果出众，无外乎工艺。“如何将数量庞大、分散的Micro LED转移到小方块上，是非常高精密度的制程。”何安和说，由于需要将细小的三色LED像素进行高速封装，并且最终达成高分辨率的显示效果，在多个显示单元中间实现无缝拼接，所以对于器械工艺和电路设计等技术环节要求非常高。这个项目重点攻破的，就是巨量转移和发光面积的微缩等难关。
三安光电于2015年初便开始了对Mini LED的研究，之后加入到Micro LED的研发中。他们创新了一系列工艺及技术，如优化衬底提升芯片亮度、提升芯片抗静电击穿能力、优化刻蚀技术和切割工艺解决规模化量产过程中存在的晶格斜裂问题等，实现了芯片“微型化、高可靠性；低热阻、高散热；直接与基板键合、免打线，高集成应用”等特性。
正是由于这些优势，关键技术开发出的显示产品具有高密度、高可靠性、轻薄化、发光均匀性更佳、清晰度更高的特点，可以广泛应用在户内外显示屏、车用显示器、智能穿戴等领域。
【成果】
目前该项目产品已实现规模化量产，2017年1月-2018年4月销售收入67302.34万元，缴税5379.83万元。项目成果已申请发明专利5项，其中4项获得授权。
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